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| 型号: | MBRD835LT4G |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 |
| 制造商包装代码： | 369C |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 0.7 |
| Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 224999 |
| Samacsys Pin Count： | 4 |
| Samacsys Part Category： | Diode |
| Samacsys Package Category： | TO-XXX (Inc. DPAK) |
| Samacsys Footprint Name： | DPAK (SINGLE GAUGE) CASE369C |
| Samacsys Released Date： | 2016-01-25 14:39:57 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | FREE WHEELING DIODE |
| 应用： | POWER |
| 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.41 V |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 75 A |
| 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 8 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 35 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
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