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MMUN2236LT1G Datasheet技术文件下载

MMUN2236LT1G产品参数和技术文档

MMUN2236LT1G产品图

MMUN2236LT1G产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
15,000
0.02100
$315.00

MMUN2236LT1G产品参数

品牌:
ON Semiconductor
描述:
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
100 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2)
100 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
功率 - 最大值
246mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
标准包装
3,000
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • MMUN2236LT1G
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • ON 
  • 1908+ 
  • 16750 
  • SOT-23-3 
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