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  • 北京首天国际有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市全源通电子有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 深圳市毅创弘电子科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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MT46V32M8FG-75EIT产品参数
型号:MT46V32M8FG-75EIT
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数:60
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.1
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B60
JESD-609代码:e0
长度:14 mm
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:60
字数:33554432 words
字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:32MX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA
封装等效代码:BGA60,9X12,40/32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):235
电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.004 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.35 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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