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  • MT49H64M9SJ-25E:B TR图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 数量9254 
  • 厂家Micron Technology Inc. 
  • 封装 
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量27000 
  • 厂家Micron Technology Inc. 
  • 封装代理Micron 
  • 批号23+ 
  • 只做原装公司现货一级代理销售
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  • MT49H64M9SJ-25E:B...图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量6500000 
  • 厂家美光 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
  • QQ:3008961396
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • MT49H64M9SJ-25E:B
  • 数量660000 
  • 厂家Micron Technology Inc. 
  • 封装原厂原装 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 数量5280 
  • 厂家Micron Technology Inc. 
  • 封装144-TFBGA 
  • 批号18+ 
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配单直通车
MT49H8M32BM-33产品参数
型号:MT49H8M32BM-33
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA
包装说明:11 X 18.50 MM, LEAD FREE, MICRO, BGA-144
针数:144
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.84
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
其他特性:AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):300 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B144
JESD-609代码:e1
长度:18.5 mm
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:144
字数:8388608 words
字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:95 °C
最低工作温度:
组织:8MX32
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VBGA
封装等效代码:BGA144,12X18,40/32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8,2.5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.93 mm
连续突发长度:2,4
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.807 mA
最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:11 mm
Base Number Matches:1
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