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  • MUN5114DWT1图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • MUN5114DWT1
  • 数量98500 
  • 厂家ON / ON Semiconductor / () 
  • 封装SOT-363 / SOT-323-6 
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  • MUN5114DWT1图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • MUN5114DWT1
  • 数量18800 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SOT-363 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • MUN5114DWT1图
  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • MUN5114DWT1
  • 数量8650000 
  • 厂家ON/ONSemiconductor/安森美原摩托罗拉 
  • 封装SOT-363SOT-323-6 
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MUN5114RT1产品参数
型号:MUN5114RT1
生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8
最大集电极电流 (IC):0.1 A
最小直流电流增益 (hFE):80
元件数量:1
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.31 W
子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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