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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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M11B416256A-30J产品参数
型号:M11B416256A-30J
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
包装说明:SOJ, SOJ40,.44
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84
最长访问时间:30 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J40
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16
端子数量:40
字数:262144 words
字数代码:256000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:256KX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ40,.44
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:512
自我刷新:NO
最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.17 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
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