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M11B416256A-35TG产品参数
型号:M11B416256A-35TG
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数:44
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.74
访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:18 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:18.41 mm
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:44
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:256KX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP40/44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:512
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:NO
最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.15 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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