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| 型号: | M24C08-WBN1T |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.51 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 0.4 MHz |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| 长度： | 9.55 mm |
| 内存密度： | 8192 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 1KX8 |
| 输出特性： | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | SERIAL |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.9 mm |
| 串行总线类型： | I2C |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
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