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STMICROELECTRONICS M25P10-AVMN6TP
中文翻译
1 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 25 MHz SPI Bus Interface
1兆位,低电压,串行闪存的25 MHz SPI总线接口
闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
STMICROELECTRONICS M25P10-AVMN6TP
中文翻译
1 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 25 MHz SPI Bus Interface
1兆位,低电压,串行闪存的25 MHz SPI总线接口
闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
STMICROELECTRONICS M25P10-AVMN6TP
中文翻译
1 Mbit, low voltage, Serial Flash memory with 50MHz SPI bus interface
1兆位,低电压,串行闪存与50MHz的SPI总线接口
闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
STMICROELECTRONICS M25P10-AVMN6TP
中文翻译
512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface
512 Kb到32兆位,低电压,串行闪存采用40 MHz或50 MHz的SPI总线接口
闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
NUMONYX M25P10-AVMN6TP/X
中文翻译
1 Mbit, serial Flash memory, 50 MHz SPI bus interface
1兆位,串行闪存, 50MHz的SPI总线接口
闪存
NUMONYX M25P10-AVMN6TP/Y
中文翻译
1 Mbit, serial Flash memory, 50 MHz SPI bus interface
1兆位,串行闪存, 50MHz的SPI总线接口
闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
更多M25P10-AVMN6TP资料...

M25P10-AVMN6TP详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
NUMONYX
零件包装代码
SOIC
包装说明
0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8
针数
8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.51
风险等级
5.41
Is Samacsys
N
其他特性
40 MHZ CLOCK FREQUENCY AVAILABLE UPON REQUEST
最大时钟频率 (fCLK)
25 MHz
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
长度
4.9 mm
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
8
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
128KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
编程电压
2.7 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
类型
NOR TYPE
宽度
3.9 mm
Base Number Matches
1
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