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NUMONYX M25P80-VMW6TG
中文翻译
8 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interface
8兆位,低电压,串行闪存与75 MHz的SPI总线接口
闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
STMICROELECTRONICS M25P80-VMW6TG
中文翻译
8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface
8兆位,低电压,串行闪存的40MHz SPI总线接口
闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
STMICROELECTRONICS M25P80-VMW6TG
中文翻译
8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface
8兆位,低电压,串行闪存的40MHz SPI总线接口
闪存存储内存集成电路光电二极管时钟

M25P80-VMW6TG详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
STMICROELECTRONICS
零件包装代码
SOIC
包装说明
0.208 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8
针数
8
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.51
风险等级
5.35
Is Samacsys
N
最大时钟频率 (fCLK)
75 MHz
数据保留时间-最小值
20
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e3
长度
5.3 mm
内存密度
8388608 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
8
湿度敏感等级
1
功能数量
1
端子数量
8
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
1MX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3/3.3 V
编程电压
2.7 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
2.5 mm
串行总线类型
SPI
最大待机电流
0.00001 A
子类别
Flash Memories
最大压摆率
0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
类型
NOR TYPE
宽度
5.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)
15 ms
写保护
HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches
1
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