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M29F010B70K6E产品参数
型号:M29F010B70K6E
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:QFJ
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
针数:32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.45
Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e3
长度:13.97 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
部门数/规模:8
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):250
电源:5 V
编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.56 mm
部门规模:16K
最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:40
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1
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