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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • M29F400B-120N1TR
  • 数量6500000 
  • 厂家意法半导体 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
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  • QQ:3008961396
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    M29F400B-120N1相关文章

配单直通车
M29F400B-120N1R产品参数
型号:M29F400B-120N1R
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:TSOP
包装说明:12 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
针数:48
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.69
Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns
其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES
数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,7
端子数量:48
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:256KX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
反向引出线:YES
座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:12 mm
Base Number Matches:1
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