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  • M29W040-120K1TR图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • M29W040-120K1TR
  • 数量6500000 
  • 厂家意法半导体 
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  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • M29W040-120K1TR图
  • 深圳市珩瑞科技有限公司

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  • M29W040-120K1TR
  • 数量15546 
  • 厂家ST 
  • 封装TSOP 
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  • ■■■全新原装房间现货 可长期供货
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配单直通车
M29W040-120K1产品参数
型号:M29W040-120K1
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:QFJ
包装说明:PLASTIC, LCC-32
针数:32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.81
最长访问时间:120 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e3
长度:13.65 mm
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
部门数/规模:8
端子数量:32
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:512KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.56 mm
部门规模:64K
最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.04 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:11.4554 mm
Base Number Matches:1
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