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  • M29W640DT70ZA1T图
  • 深圳市珩瑞科技有限公司

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  • M29W640DT70ZA1T
  • 数量15546 
  • 厂家ST 
  • 封装TSOP 
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M29W640DT70ZA1T产品参数
型号:M29W640DT70ZA1T
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:BGA
包装说明:7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
针数:63
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.3
最长访问时间:70 ns
其他特性:TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度:8
启动块:TOP
JESD-30 代码:R-PBGA-B63
长度:11 mm
内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
功能数量:1
端子数量:63
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:4MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
类型:NOR TYPE
宽度:7 mm
Base Number Matches:1
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