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M29W640GT70N3F产品参数
型号:M29W640GT70N3F
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICRON TECHNOLOGY INC
包装说明:TSOP-48
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84
最长访问时间:70 ns
备用内存宽度:8
启动块:TOP
JESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e3
长度:18.4 mm
内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
功能数量:1
端子数量:48
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:4MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
编程电压:3 V
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
类型:NOR TYPE
宽度:12 mm
Base Number Matches:1
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