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  • M58BW016DB8T3FPTX图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • M58BW016DB8T3FPTX
  • 数量65000 
  • 厂家STM 
  • 封装原厂封装 
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M58BW016DB8T3FT产品参数
型号:M58BW016DB8T3FT
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:NUMONYX
零件包装代码:QFP
包装说明:QFP, QFP80,.7X.9,32
针数:80
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.16
Is Samacsys:N
最长访问时间:80 ns
其他特性:SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PQFP-G80
长度:20 mm
内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:32
湿度敏感等级:1
功能数量:1
部门数/规模:8,31
端子数量:80
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:512KX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP
封装等效代码:QFP80,.7X.9,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225
电源:2.5/3.3,3/3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.4 mm
部门规模:2K,16K
最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO
类型:NOR TYPE
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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