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| 型号: | M59DR016C100ZB1 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |
| 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.4 |
| 最长访问时间： | 100 ns |
| 启动块： | TOP |
| 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 12 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 8,31 |
| 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 页面大小： | 4 words |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 1.8/2 V |
| 编程电压： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.35 mm |
| 部门规模： | 4K,32K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.2 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 7 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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