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产品型号M95640-WMN3TP/P的产品参数和M95640-WMN3TP/P的使用说明

芯片M95640-WMN3TP/P概述

M95640-WMN3TP/P是一款由STMicroelectronics(意法半导体)公司生产的EEPROM(电可擦可编程只读存储器)芯片。该芯片在小型、低功耗和高密度应用领域表现出色,广泛应用于存储非易失性数据。M95640具有在工业和消费电子产品中常见的多种先进特性,使其成为各种应用如智能卡、家电、消费电子以及工业设备的理想选择。

芯片M95640-WMN3TP/P的详细参数

M95640-WMN3TP/P的主要技术规格如下:

- 存储容量:64Kb(8K x 8比特) - 电源电压:2.5V至5.5V,适应各种供电要求 - 工作温度范围:-40℃至+85℃ - 页面写入操作:1至32字节 - 串行接口:支持SPI接口 - 写入时间:通常为5ms(尤其是在页面写入模式下) - 读取时间:典型值为20ns - 可靠性:可承受100,000个擦写周期,并能保持数据的保存时间长达40年 - 封装形式:SOP-8、TSSOP-8,适合多种PCB设计

芯片M95640-WMN3TP/P的厂家、包装与封装

M95640-WMN3TP/P由意法半导体(STMicroelectronics)生产。该公司因其在半导体行业的创新与可靠性而享有很高的声誉。

- 封装类型:M95640可获得多种封装形式,特别是SOP-8和TSSOP-8,这些封装紧凑且易于安装,适合现代电子设备的小型化设计需求。 - 包装:根据不同需求提供的包装选项包括散装(Bulk)、带托盘(Tray)和卷带(Tape & Reel),适合大规模生产或小批量应用。

芯片M95640-WMN3TP/P的引脚与电路图说明

M95640-WMN3TP/P的引脚配置通常有8个引脚,具体功能如下:

1. Vcc:供电引脚。连接到电源。 2. GND:地引脚。连接到地。 3. SI:串行输入。用于接收数据。 4. SO:串行输出。用于发送数据。 5. SCK:时钟引脚。驱动数据传输的时钟信号。 6. CS:芯片选择引脚。用于选择芯片进行数据传输。 7. WP:写保护引脚。可以通过将此引脚置为高电平来防止数据写入。 8. HOLD:用于暂停数据传输,便于共享总线。

根据应用的不同,电路图中M95640的连接方式可能会有所不同,但通常会包含电源、地、以及连接到微控制器的SPI接口。

芯片M95640-WMN3TP/P的使用案例

M95640-WMN3TP/P在多个领域的应用场合展示了其灵活性和强大的功能。以下是几个具体的应用案例:

1. 智能卡:在智能卡中,M95640的非易失性存储特性允许存储用户数据和加密密钥,保证安全性和数据的长期可靠性。

2. 家庭自动化:在智能家居设备中,此芯片被用于存储配置信息,例如网络设置、用户偏好等,使设备在断电后依然能保留设置,为用户提供更加流畅和个性化的使用体验。

3. 工控领域:在工业控制器中,M95640被用作存储设备参数和诊断数据。能够在设备运行中快速读取和写入数据,以响应实时数据监控需求。

4. 消费电子:在便携式设备,例如手持游戏机、智能手表等,M95640被广泛用于存储游戏数据、用户设置等,确保在设备关闭后数据依然保留。

5. 汽车电子:在汽车电子中,M95640可用于存储车辆的校准数据、状态信息等,确保在更改配置后能够随时调回原始数据,极大提升了设施的可靠性和安全性。

总之,M95640-WMN3TP/P以其优秀的性能,广泛的应用范围及高可靠性,成为了多种电子应用中的重要组件。通过合理运用其特性,开发者可以设计出更为高效与智能的产品,从而满足不断变化的市场需求。

配单直通车
M95640-WMN3TP/P产品参数
型号:M95640-WMN3TP/P
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:SOIC
包装说明:0.150 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.07
Is Samacsys:N
其他特性:1 MILLION ERASE/WRITE CYCLES; 40 YEARS DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK):5 MHz
数据保留时间-最小值:40
耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4
长度:4.9 mm
内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8
湿度敏感等级:1
功能数量:1
端子数量:8
字数:8192 words
字数代码:8000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:8KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm
串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.000002 A
子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.003 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1
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