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| 型号: | MB81256-10 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA INC |
| 包装说明： | QCCN, |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 8.4 |
| 访问模式： | PAGE |
| 最长访问时间： | 100 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-CQCC-N18 |
| 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 18 |
| 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX1 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QCCN |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 256 |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | NMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | QUAD |
| Base Number Matches： | 1 |
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