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  • MB81C10-30图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量52178 
  • 厂家FUJITSU 
  • 封装1998 
  • 批号25+23+ 
  • 绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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  • MB81C10-30图
  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 数量20000 
  • 厂家FUJITSU 
  • 封装QFP-64 
  • 批号23+ 
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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  • 数量11972 
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配单直通车
MB81C1000-15C产品参数
型号:MB81C1000-15C
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
包装说明:DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83
最长访问时间:150 ns
I/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDIP-T18
JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1
端子数量:18
字数:1048576 words
字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:1MX1
输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:512
子类别:DRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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