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| 型号: | MBM29LV200BC-12PFTN |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.87 |
| Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 120 ns |
| 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | BOTTOM |
| 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 |
| 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 部门数/规模： | 1,2,1,3 |
| 端子数量： | 48 |
| 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 16K,8K,32K,64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.035 mA |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
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