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  • MBN1200D33AW图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • MBN1200D33AW
  • 数量1880 
  • 厂家HITACHI 
  • 封装车规-模块MODULE 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
  • MBN1200D33AW图
  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • MBN1200D33AW
  • 数量20000 
  • 厂家HITACHI 日立(1U 600/1200V)耐压 IGBT 
  • 封装原厂封装 
  • 批号23+ 
  • 原装现货热卖!请联系吴先生 13681678667
  • QQ:617677003
  • 15618836863 QQ:617677003
  • MBN1200D33AW图
  • 上海硅威科技有限公司

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  • MBN1200D33AW
  • 数量8880 
  • 厂家HITACHI 
  • 封装标准封装 
  • 批号22+ 
  • 公司只做全新原装进口正品 现货直销 质保一年
  • QQ:2885615943
  • 400-1585-060 QQ:2885615943
  • MBN1200D33AW图
  • 江苏华美半导体有限公司

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  • MBN1200D33AW
  • 数量
  • 厂家21+ 
  • 封装5000 
  • 批号 
  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
  • QQ:1989265666
  • 0512-82613006 QQ:1989265666
配单直通车
MBN1200D33A产品参数
型号:MBN1200D33A
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.68
最大集电极电流 (IC):1200 A
集电极-发射极最大电压:3300 V
门极-发射极最大电压:20 V
元件数量:1
最高工作温度:125 °C
最大功率耗散 (Abs):12000 W
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max:5 V
Base Number Matches:1
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