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MBR20150FCT产品参数
型号:MBR20150FCT
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:FORMOSA MICROSEMI CO LTD
包装说明:R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.6
Is Samacsys:N
其他特性:LOW POWER LOSS
应用:EFFICIENCY
外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:150 A
元件数量:2
相数:1
端子数量:3
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:150 V
最大反向电流:100 µA
表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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