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  • MBT120ESFT1G图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • MBT120ESFT1G
  • 数量18800 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SOD-123 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
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  • MBT120ESFT1G图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • MBT120ESFT1G
  • 数量55307 
  • 厂家0N 
  • 封装SOD-123 
  • 批号2023+ 
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  • QQ:364510898QQ:515102657
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配单直通车
MBT2222ADW1T1产品参数
型号:MBT2222ADW1T1
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SC-88
包装说明:CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
针数:6
制造商包装代码:CASE 419B-02
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.36
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):75
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHz
最大关闭时间(toff):285 ns
最大开启时间(吨):35 ns
Base Number Matches:1
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