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| 型号: | MC100E122FN |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QLCC |
| 包装说明： | PLASTIC, LCC-28 |
| 针数： | 28 |
| 制造商包装代码： | 776-02 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.49 |
| 其他特性： | NECL MODE: 0V VCC WITH VEE = -4.2V TO -5.7V |
| 系列： | 100E |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J28 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11.505 mm |
| 逻辑集成电路类型： | BUFFER |
| 功能数量： | 9 |
| 输入次数： | 1 |
| 端子数量： | 28 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | |
| 输出特性： | OPEN-EMITTER |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC28,.5SQ |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | -4.5 V |
| 最大电源电流（ICC）： | 49 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 0.5 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 0.5 ns |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO |
| 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.2 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | ECL |
| 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn80Pb20) |
| 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 11.505 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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