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| 型号: | MC100LVEL01DR2 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOIC-8 |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.44 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -3.0V TO -3.8V |
| 系列： | 100LVEL |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 4.9 mm |
| 逻辑集成电路类型： | OR/NOR GATE |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 |
| 输入次数： | 4 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出特性： | OPEN-EMITTER |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 包装方法： | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | -3.3 V |
| 最大电源电流（ICC）： | 22 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 0.49 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 0.51 ns |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO |
| 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.8 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | ECL |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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