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MC10EP58DR2G产品参数
型号:MC10EP58DR2G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP8,.25
针数:8
制造商包装代码:751-07
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.54
Is Samacsys:N
其他特性:NECL MODE OPERATING RANGE: VCC = 0 V WITH VEE = -3.0 V TO -5.5 V
系列:10E
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm
逻辑集成电路类型:MULTIPLEXER
湿度敏感等级:1
功能数量:1
输入次数:2
输出次数:1
端子数量:8
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
输出特性:OPEN-EMITTER
输出极性:COMPLEMENTARY
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
包装方法:TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:-5.2 V
最大电源电流(ICC):40 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup:0.42 ns
传播延迟(tpd):0.41 ns
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm
子类别:Multiplexer/Demultiplexers
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:ECL
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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