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  • MC34152DR2G/BKN图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • MC34152DR2G/BKN
  • 数量6500000 
  • 厂家安森美 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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配单直通车
MC34152P产品参数
型号:MC34152P
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.89
高边驱动器:YES
接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0
长度:9.78 mm
功能数量:2
端子数量:8
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
标称输出峰值电流:1.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:4.45 mm
最大供电电压:18 V
最小供电电压:6.5 V
标称供电电压:12 V
表面贴装:NO
技术:BIPOLAR
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:0.12 µs
接通时间:0.12 µs
宽度:7.62 mm
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