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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 厂家ON 
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装SOT235 Thin TSOT235 
  • 批号21+ 
  • 公司只售原装 支持实单
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量6500000 
  • 厂家安森美 
  • 封装原厂原装 
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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 北京力通科信电子有限公司

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  • 数量10000 
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  • 封装 
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  • 北京深圳原装现货热卖特价
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  • 柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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  • 数量700000 
  • 厂家ON 
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  • 批号2023+ 
  • 柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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  • 北京耐芯威科技有限公司

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  • 数量5000 
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  • 批号21+ 
  • 原装正品,公司现货
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  • 深圳市芯鹏泰科技有限公司

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  • 数量7536 
  • 厂家onsemi 
  • 封装5-TSOP 
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  • 栅极和逆变器芯片原装现货
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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 数量9000 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-23 
  • 批号23+ 
  • 只做进口原装/到货/可含13%税
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  • 深圳市恒意法科技有限公司

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  • 数量83500 
  • 厂家onsemi 
  • 封装5-TSOP 
  • 批号21+ 
  • 正规渠道/品质保证/原装正品现货
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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 数量58200 
  • 厂家ON/安森美 
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  • ▲▲▲诚信经营,服务至上,十年专注▲▲▲
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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 数量20000 
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  • 封装SOT23-5 
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  • 深圳现货库存,保证原装正品
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量9800 
  • 厂家ONS 
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产品型号MC74VHC1G09DTT1的概述

MC74VHC1G09DTT1概述 MC74VHC1G09DTT1是一款单输入、单输出的高速度CMOS器件,属于74VHC系列。这种器件是一个高压容忍的逻辑门级电路,其核心功能是实现逻辑“与非”操作,适用于多种电子电路设计中。74VHC系列产品基于先进的CMOS技术,能够在较宽的电源电压范围内正常工作,适应不同的应用需求。 由于其优秀的速度性能和较低的功耗,MC74VHC1G09DTT1在现代数字电路设计中被广泛使用。其应用领域包括,但不限于,数据传输、信号处理、智能控制系统及工业自动化等。该芯片的设计目标是为了满足对小型化和高集成度电子设备的需求,使其更高效且灵活。 详细参数 MC74VHC1G09DTT1的关键参数如下: - 电源电压(Vcc): 2.0V至 5.5V - 输入电压(Vin): 0V至 Vcc - 输出电压(Vout): 接近Vcc - 工作温度范围: -40℃至 ...

产品型号MC74VHC1G09DTT1的Datasheet PDF文件预览

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
2-Input AND Gate with  
Open Drain Output  
MC74VHC1G09  
The MC74VHC1G09 is an advanced high speed CMOS 2–input AND gate with open drain output fabricated with silicon gate CMOS  
technology. It achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power dissipation.  
The internal circuit is composed of three stages, including an open drain output which provides the capability to set output switching  
level. This allows the MC74VHC1G09 to be used to interface 5 V circuits to circuits of any voltage between V CC and 7 V using an  
external resistor and power supply.  
The MC74VHC1G09 input structure provides protection when voltages up to 7 V are applied, regardless of the supply voltage.  
• High Speed: t PD = 4.3 ns (Typ) at V CC = 5 V  
• Low Internal Power Dissipation: I CC = 2 mA (Max) at T A = 25°C  
• Power Down Protection Provided on Inputs  
• Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families  
• Chip Complexity: FETs = 62; Equivalent Gates = 16  
MARKING DIAGRAMS  
5
4
1
2
VXd  
3
SC–88A/SOT–353/SC–70  
DF SUFFIX  
CASE 419A  
Pin 1  
d = Date Code  
5
Figure 1. Pinout (Top View)  
4
VXd  
1
2
3
Figure 2. Logic Symbol  
TSOP–5/SOT–23/SC–59  
DT SUFFIX  
CASE 483  
Pin 1  
d = Date Code  
FUNCTION TABLE  
Inputs  
Output  
PIN ASSIGNMENT  
A
L
B
L
Y
L
L
L
Z
1
2
3
4
5
IN B  
IN A  
L
H
L
GND  
OUT Y  
V CC  
H
H
H
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the  
package dimensions section on page 4 of this data sheet.  
VH9–1/4  
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
MC74VHC1G09  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
– 0.5 to + 7.0  
– 0.5 to +7.0  
– 0.5 to +7.0  
–20  
Unit  
V
V CC  
V IN  
V OUT  
I IK  
DC Supply Voltage  
DC Input Voltage  
V
DC Output Voltage  
Input Diode Current  
Output Diode Current  
V
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
I OK  
V OUT < GND; V OUT > V CC  
+20  
I OUT  
I CC  
DC Output Current, per Pin  
DC Supply Current, V CC and GND  
Power dissipation in still air  
Thermal resistance  
+ 25  
+50  
P D  
SC–88A, TSOP–5  
SC–88A, TSOP–5  
200  
θ JA  
T L  
333  
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 s  
Junction Temperature Under Bias  
Storage temperature  
260  
T J  
+ 150  
°C  
T stg  
V ESD  
–65 to +150  
>2000  
> 200  
°C  
ESD Withstand Voltage  
Human Body Model (Note 2)  
Machine Model (Note 3)  
V
Charged Device Model (Note 4)  
N/A  
I LATCH–UP  
Latch–Up Performance Above V CC and Below GND at 125°C (Note 5)  
± 500  
mA  
1. Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Exposure to these conditions or conditions  
beyond those indicated may adversely affect device reliability. Functional operation under absolute–maximum–rated conditions is  
not implied. Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.  
2. Tested to EIA/JESD22–A114–A  
3. Tested to EIA/JESD22–A115–A  
4. Tested to JESD22–C101–A  
5. Tested to EIA/JESD78  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS  
Symbol  
V CC  
Parameter  
Min  
2.0  
0.0  
0.0  
– 55  
0
Max  
5.5  
Unit  
V
DC Supply Voltage  
DC Input Voltage  
DC Output Voltage  
V IN  
5.5  
V
V OUT  
T A  
7.0  
V
Operating Temperature Range  
Input Rise and Fall Time  
+ 125  
100  
20  
°C  
ns/V  
t r ,t f  
V CC = 3.3 ± 0.3 V  
V CC = 5.0 ± 0.5 V  
0
DEVICE JUNCTION TEMPERATURE VERSUS  
TIME TO 0.1% BOND FAILURES  
Junction  
Time,  
Hours  
Time,  
Years  
117.8  
47.9  
20.4  
9.4  
Temperature °C  
80  
90  
1,032,200  
419,300  
178,700  
79,600  
37,000  
17,800  
8,900  
100  
110  
120  
130  
140  
4.2  
1
2.0  
1.0  
1
10  
100  
1000  
TIME, YEARS  
Figure 3. Failure Rate vs. Time  
Junction Temperature  
VH9–2/4  
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
MC74VHC1G09  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
V CC  
T A = 25°C  
T A <85°C –55°C<TA<125°C  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
(V) Min Typ Max Min Max Min Max Unit  
V IH  
Minimum High–Level  
Input Voltage  
2.0 1.5  
3.0 2.1  
4.5 3.15  
5.5 3.85  
2.0  
1.5  
2.1  
1.5  
2.1  
V
V
V
3.15  
3.85  
3.15  
3.85  
V IL  
Maximum Low–Level  
Input Voltage  
0.5  
0.9  
0.5  
0.9  
0.5  
0.9  
3.0  
4.5  
1.35  
1.65  
1.35  
1.65  
1.35  
1.65  
5.5  
V OH  
Minimum High–Level  
Output Voltage  
V IN = V IH or V IL  
2.0 1.9 2.0  
3.0 2.9 3.0  
4.5 4.4 4.0  
1.9  
2.9  
4.4  
1.9  
2.9  
4.4  
I OH = – 50 µA  
V
IN = V IH or V IL  
V IN = V IH or V IL  
I OH = –4 mA  
I OH = –8 mA  
V IN = V IH or V IL  
I OL = 50 µA  
3.0 2.58  
4.5 3.94  
2.48  
3.80  
2.34  
3.66  
V OL  
Maximum Low–Level  
Output Voltage  
2.0  
3.0  
4.5  
0.0  
0.0  
0.0  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
V
V
IN = V IH or V IL  
V IN = V IH or V IL  
I OL = 4 mA  
3.0  
4.5  
0.36  
0.36  
±0.1  
0.44  
0.44  
±1.0  
0.52  
0.52  
±1.0  
I OL = 8 mA  
I IN  
Maximum Input  
Leakage Current  
Maximum Quiescent  
V IN = 5.5 V or GND  
0 to5.5  
µA  
µA  
µA  
I CC  
I OPD  
V IN = V CC or GND  
V OUT = 5.5 V  
5.5  
0
2.0  
20  
40  
Supply Current  
Maximum Off–state  
Leakage Current  
0.25  
2.5  
5.0  
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS C load = 50 pF, Input t r = t f = 3.0 ns  
T A = 25°C  
Min Typ Max Min Max Min Max Unit  
T A  
<85°C –55°C to 125°C  
Symbol  
Parameter  
Maximum Output  
Enable Time,  
Test Conditions  
t PZL  
V CC = 3.3 ± 0.3 V C L = 15 pF  
R L = R I = 500 C L = 50 pF  
6.2  
8.7  
8.8  
10.5  
14.0  
12.5  
16.5  
ns  
12.3  
Input A or B to Y  
V CC = 5.0 ± 0.5 V C L = 15 pF  
R L = R I = 500 C L = 50 pF  
V CC = 3.3 ± 0.3 V C L = 50 pF  
R L = R I = 500 Ω  
4.3  
5.8  
8.7  
5.9  
7.9  
7.0  
9.0  
9.0  
11.0  
16.5  
t PLZ  
C IN  
Maximum Output  
Disable Time  
12.3  
14.0  
ns  
V CC = 5.0 ± 0.5 V C L = 50 pF  
R L = R I = 500 Ω  
5.8  
6.0  
7.9  
10  
9.0  
10  
11.0  
10  
Maximum Input  
Capacitance  
pF  
Typical @ 25°C, V CC = 5.0 V  
C PD  
Power Dissipation Capacitance (Note 6)  
18  
pF  
6. C PD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without  
load. Average operating current can be obtained by the equation: I CC(OPR) = C PD  
x
V CCx  
f in + I CC C PD is used to determine the no–  
.
2
load dynamic power consumption; P D = C PD  
x
V CC  
x
f in + I CC V CC .  
x
VH9–3/4  
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
MC74VHC1G09  
Y
Figure 5. Switching Waveforms  
Figure 4. Output Voltage Mismatch Application  
C L = 50 pF equivalent (Includes jig and probe capacitance)  
R L = R 1 = 500 or equivalent  
R T = Z OUT of pulse generator (typically 50 )  
Figure 6. Test Circuit  
Figure 8. LED Driver  
Figure 7. Complex Boolean Functions  
Figure 9. GTL Driver  
DEVICE ORDERING INFORMATION  
Device Nomenclature  
Logic  
Temp  
Package Type  
(Name/SOT#/  
Common Name)  
Device Order  
Number  
Device  
Package Tape and  
Tape and  
Reel Size  
Circuit  
Range  
Technology  
Function Suffix  
Reel Suffix  
Indicator Identifier  
MC74VHC1G09DFT1 MC  
MC74VHC1G09DFT2 MC  
MC74VHC1G09DFT4 MC  
MC74VHC1G09DTT1 MC  
MC74VHC1G09DTT3 MC  
74  
74  
74  
74  
74  
VHC1G  
VHC1G  
VHC1G  
VHC1G  
VHC1G  
09  
09  
09  
09  
09  
DF  
DF  
DF  
DT  
DT  
T1  
SC–70/SC–88A/  
SOT–353  
178 mm (7 in)  
3000 Unit  
T2  
T4  
T1  
T3  
SC–70/SC–88A/  
SOT–353  
178 mm (7 in)  
3000 Unit  
SC–70/SC–88A/  
SOT–353  
330 mm (13 in)  
10,000 Unit  
178 mm (7 in)  
3000 Unit  
SOT–23/TSOPS/  
SC–59  
SOT–23/TSOPS/  
SC–59  
330 mm (13 in)  
10,000 Unit  
VH9–4/4  
配单直通车
MC74VHC1G09DTT1产品参数
型号:MC74VHC1G09DTT1
生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:SOP, TSOP5/6,.11,37
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.76
Is Samacsys:N
系列:AHC/VHC/H/U/V
JESD-30 代码:R-PDSO-G5
负载电容(CL):50 pF
逻辑集成电路类型:AND GATE
最大I(ol):0.008 A
功能数量:1
输入次数:2
端子数量:5
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
输出特性:OPEN-DRAIN
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:TSOP5/6,.11,37
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
包装方法:TAPE AND REEL
电源:2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup:11 ns
传播延迟(tpd):16.5 ns
认证状态:Not Qualified
施密特触发器:NO
子类别:Gates
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子形式:GULL WING
端子节距:0.95 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
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