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产品型号MCP655T-E/MF的概述

芯片MCP655T-E/MF的概述 MCP655T-E/MF是一款高度集成的CMOS传感器芯片,广泛应用于各种电子设备中,尤其是在消费电子、工业自动化以及汽车电子等领域。这款芯片的设计目的是为了提供高精度的模拟信号处理、低功耗操作以及灵活的接口兼容性。其结构紧凑,适合于空间受限的应用场合。 MCP...
配单直通车
MCP655T-E/MF产品参数
型号:MCP655T-E/MF
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROCHIP TECHNOLOGY INC
零件包装代码:DFN
包装说明:HVSON, SOLCC10,.11,20
针数:10
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:5.31
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.005 µA
标称共模抑制比:81 dB
频率补偿:YES
最大输入失调电压:200 µV
JESD-30 代码:S-PDSO-N10
JESD-609代码:e3
长度:3 mm
低-偏置:YES
低-失调:YES
微功率:NO
湿度敏感等级:1
功能数量:2
端子数量:10
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:HVSON
封装等效代码:SOLCC10,.11,20
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法:TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度):260
功率:NO
电源:3/5 V
可编程功率:NO
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1 mm
标称压摆率:30 V/us
子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:18 mA
供电电压上限:6.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:NO LEAD
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
标称均一增益带宽:50000 kHz
最小电压增益:25100
宽带:NO
宽度:3 mm
Base Number Matches:1
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