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| 型号: | MD82C85/B |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.3 |
| 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.87 |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 24 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出时钟频率： | 8 MHz |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V |
| 主时钟/晶体标称频率： | 25 MHz |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Clock Generators |
| 最大压摆率： | 50 mA |
| 最大供电电压： | 5.5 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 总剂量： | 100k Rad(Si) V |
| 宽度： | 7.62 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | CLOCK GENERATOR, PROCESSOR SPECIFIC |
| Base Number Matches： | 1 |
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