C3M0065090J 900 V SiC MOSFET
日期：2019-8-6摘要：C3M0065090J 900 V SiC MOSFET
Wolfspeed 的 900 V 平台可实现更小更高效的下一代电源转换系统，且与基于芯片的解决方案成本相当
C3M0065090J 900 V SiC MOSFET
Wolfspeed 的 900 V 平台可实现更小更高效的下一代电源转换系统，且与基于芯片的解决方案成本相当
900 V SiC MOSFET 平台专为高频电力电子应用而优化，包括可再生能源逆变器、电动汽车充电系统和三相工业电源。900 V 平台可实现更小、更高效的下一代电源转换系统，且与基于芯片的解决方案成本相当。
特性
C3M SiC MOSFET 技术
具有驱动器源极引脚的低阻抗封装
高阻断电压，低 RDS(ON)
具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
低输出电容 (60 pF)
无卤素；符合 RoHS 规范
漏极和源极之间的宽爬电距离 (~7 mm)
应用
再生能源
EV 电池充电器
高压 DC/DC 转换器
开关模式电源