晶体管FDMA86265P原装现货供应!
日期:2019-9-10制造商ON Semiconductor
制造商零件编号FDMA86265P
描述MOSFET P-CH 150V 1A 6-MLP
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
原厂标准交货期9 周
详细描述表面贴装型-P-通道-150V-1A(Ta)-2.4W(Ta)-6-MicroFET(2x2)
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
FDMA86265P
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列PowerTrench®
FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)1.2 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)4nC @ 10V
Vgs(最大值)±25V
FDMA86265P
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)210pF @ 75V
FET 功能-FDMA86265P
功率耗散(最大值)2.4W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装6-MicroFET(2x2)
封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
优势供应:
SN74HCT244DWR
FDMA86265P
SN74HC148DR
SN74HC27DR
SN74HC164DR
SN74HC164DR
SN74HC32DR
SN74HC00DR
SN74HCT245DWR
SN74HC04N
SN74HC175DR
SN74HC125DR
SN74HC08N
SN74HC02DR
SN74HC109DR
SN74HCT373N
SN74HCT02DR
SN74HC20DR
SN74HC14APWR
SN74HC374NSR
SN74HC373ANSR
SN74HC11DR
SN74HC245DWR
SN74HC74DR
SN74HC74PWR
SN74HCT374N
SN74HC540DWR
SN74HC573PWR
SN74HC244N
MAX1701EEE-T
MAX797CSE
MAX5919AEEE
MAX232ECDR
MAX3100CEE
MAX3232ECDR
MAX691ACSE
MAX3645EEE+T
MAX1793EUE15+T
MAX232ACSE+T
MAX970EEE+T
MAX308EPE
MAX232CPE