龙腾推出高压超结功率MOSFET 绝缘栅双极型IGBT）屏蔽栅沟槽型（SGT）功率MOSFET 低压沟槽型功率MOSF 用于:TV板卡电源 充电器 适配器 LED驱动电源

龙腾拥有百余项核心技术专利；制定超结功率MOSFET国家行业标准（标准号SJ/T 9014.8.2-2018）；运营校企联合新型研发平台（交大-龙腾先进功率半导体技术研究院）。公司建有一流的器件测试实验室及产品可靠性工程中心，并专注提供高效、可靠、安全的功率器件及高性价比的系统解决方案。公司已形成高压超结功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、屏蔽栅沟槽型（SGT）功率MOSFET、低压沟槽型功率MOSFET、高压平面功率MOSFET及功率模块等完整的功率器件产品系列。产品已在消费类（TV板卡电源、充电器、适配器、LED驱动电源）、工业类（计算机及服务器电源、通信电源）、汽车类（充电桩、车载电源）等领域得到了广泛应用

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