IRFH8318TRPBF

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产品规格

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PQFN-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 120 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V

Qg-栅极电荷: 41 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.6 W

配置: Single

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.83 mm  

长度: 6 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5 mm  

商标: Infineon / IR  

正向跨导 - 最小值: 81 S  

下降时间: 12 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 33 ns  

工厂包装数量: 4000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 18 ns  

典型接通延迟时间: 15 ns  

零件号别名: SP001572710