FDN352AP进口原装现货特价热卖

FDN352AP

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SSOT-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 1.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 1.9 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 500 mW

通道模式: Enhancement

系列: FDN352AP

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 15 ns

正向跨导 - 最小值: 2 S

高度: 1.12 mm

长度: 2.9 mm

产品: MOSFET Small Signal

产品类型: MOSFET

上升时间: 15 ns

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 4 ns

宽度: 1.4 mm

零件号别名: FDN352AP_NL

单位重量: 30 mg