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FP40R12KT3 Infineon IGBT 模块

日期:2021-6-12 类别: 阅读:168 (来源:互联网)
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摘要:FP40R12KT3 Infineon IGBT 模块

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产品:IGBT Silicon Modules
配置:Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
在25 C的连续集电极电流:55 A
封装 / 箱体:Econo 2
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 125 C
封装:Tray
高度:17 mm
长度:107.5 mm
系列:Trenchstop IGBT3 - T3
技术:Si
宽度:45 mm
商标:Infineon Technologies
安装风格:Chassis Mount
栅极/发射极最大电压:20 V
产品类型:IGBT Modules

6月10日消息,根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)发布的最新半导体市场展望报告显示,因为看好存储芯片市场强劲成长动能,二度调升今年全球半导体市场成长率,由原本预估的10.9%大幅提升至19.7%,市场规模将达5,272.23亿美元并创下历史新高。WSTS也看好半导体市场2022年持续成长,预估将较今年再成长8.8%达5734.40亿美元规模,即半导体市场将在2020~2022年出现连续3年正成长。


虽然新冠肺炎疫情仍在全球蔓延,但加快数字化转型成新常态,根据台积电此前在技术论坛上提供的数据显示,全球远程办公的人数在3周内成长了20倍,全球有2.5亿学生在2周内转为线上学习,Disney+订户数在5个月内就达到Netflix在7年累计的订户数。业者分析,数字化转型造成芯片需求跳跃成长及供不应求,逻辑IC及模拟IC今年成长动能强劲,DRAM、NOR/NAND Flash亦因供给吃紧而价格持续上涨。


WSTS去年12月预估今年全球半导体市场将较去年成长8.4%,而今年3月时将年成长率上修至10.9%,此次则将年成长率再度上修至19.7%,主要就是看好存储芯片市场强劲成长动能。在DRAM及NAND Flash涨价效应下,WSTS预估今年全球记忆体市场将年增31.7%达1547.82亿美元,且明年还会再成长17.4%达1817.10亿美元,连续2年创下新高纪录。


WSTS同时看好传感器及模拟IC市场今年同比都有超过20%的强劲成长,其中,传感器受惠于智能手机的多镜头趋势,先进驾驶辅助系统(ADAS)及电动车增加传感器搭载数量,推升今年传感器市场规模年增22.4%达183.21亿美元。


此外,5G智能手机、搭载英特尔及AMD新处理器的PC、电动车及充电桩等对电源管理IC及功率半导体的强劲需求,推升今年模拟IC市场年增21.7%达677.16亿美元,而包括金氧半场效电晶体(MOSFET)在内的分立器件(discrete)市场亦年增18.3%达281.54亿美元,同步创下新高纪录。


以区域别来看,亚太地区仍是最大半导体市场,今年成长力道最强,预估年增23.5%达3347.05亿美元。美洲地区为第二大半导体市场,预估年增11.1%达1059.81亿美元。至于欧洲地区虽然市场规模不大达454.46亿美元,但今年成长幅度达21.1%表现优于预期。


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