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AO4262E MOSFET N-CHANNEL 60V 16.5A 8SO

日期:2021-6-16 类别: 阅读:120 (来源:互联网)
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包装

卷带(TR)

零件状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

16.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

6.5 毫欧 @ 16.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250μA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

3.1W(Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SO

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

漏源电压(Vdss)

60 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

25 nC @ 4.5 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1652 pF @ 30 V


其实,早在去年8月,美国启动对华为芯片第三轮制裁,使麒麟高端芯片成为绝唱,外界悲观情绪持续蔓延。有人不禁为海思的前景捏一把汗,称其就是为芯片而生,麒麟芯片没有了,海思还有存在的必要吗?


彼时,海思人员离职的消息此起彼伏,似乎预示着麒麟不再,海思也将被解散。其实,这种担心大可不必,对于海思在华为未来体系中的定位,早在2019年5月,华为创始人任正非便给出自己的答案。


“海思是华为的一个助战队伍,跟着华为主战队伍前进,就如坦克队伍中的加油车、架桥机、担架队一样,是这样的定位。”言下之意是,如果没有海思,华为的未来之路将寸步难行。不难看出,未来海思所肩负的使命更为艰巨。


没过多久,任正非在接受央视专访时再度谈及海思。当主持人提及“海思在所有人的心目中几乎像英雄一样”时,他随即附和道,他们本来就是英雄,只不过默默无闻而已。虽然默默无闻,但他们获得很多的奖牌、很高的职级、很多的收入。按玩笑的说法,只要“钱不少”,那就行了。


最近,华为董事陈黎芳罕见披露海思的最新现状。她透露,海思2020年员工数超过7000人,因此维持这个部分对华为来说将是一个严重的财务负担。不过,陈黎芳强调,华为是私人控股,不受外部势力影响,其管理层已明确将保留海思。


换言之,华为内部仍继续在开发领先世界的半导体组件,海思部门不会进行任何重组或裁员的决定。陈黎芳表示,尽管受到制裁,哪怕台积电无法生产,华为海思半导体还是要继续开发半导体,预计仍将持续两到三年,华为能应付自如。


她认为,其他国家正在努力推动自己的半导体产业升级,这将有助于海思获得不依赖美国技术的新供应链合作伙伴。陈黎芳预计,这一局面(华为芯片重见天日)将会在几年后看到。


在我看来,2020年的断芯之痛,使海思陷入至暗时刻,暴露出其擅长芯片研发,但芯片制造却是一大软肋。没有台积电的代工,中芯国际的工艺达不到海思麒麟芯片的要求,不能进入到产线,海思高端芯片就只能停留在图纸上。研发的芯片不能生产,海思未来何去何从成为外界关注的焦点。


对于华为来说,海思扮演占领技术战略高地的关键性作用,再难也不能轻易放弃。尽管美国持续打压使其经历自成立起来最深重的苦难,但在任正非的选项中,“除了胜利,我们已经无路可走。”


华为轮值董事长徐直军也曾直言,华为对海思没有任何盈利的诉求,支持海思团队继续芯片研发,为未来做准备。“只要华为养得起,就会一直养着海思这支芯片队伍。”


如今,海思肩上的使命更艰巨、更伟大,不仅肩负着华为终端的未来生死,更代表着中国芯片制造的突围力量。从哪里跌倒就从哪里爬起来,哪里被别人卡脖子就从哪里掰开,华为打造自身芯片研发软件和芯片制造设备势在必行,突破基础创新,赢取下一个时代。


在核心部件被卡脖子的生死关头,任正非带领的华为依然坚定方向,以“向下扎到根、向上捅破天”的勇气,成为中国科技企业的一面旗帜。加油华为!加油海思!

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