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NCEP080N10F

日期:2021-8-26类别:会员资讯 阅读:740 (来源:互联网)
公司:
深圳市百域芯科技有限公司
联系人:
郑佳妮
手机:
13043481413
电话:
0755-23616725
传真:
--
QQ:
2885648621
地址:
深圳市福田区华强北街道世纪汇都会轩4507

NCE80H16WD_NCEP080N10F导读

今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管:NCE3401。

根据不通电情况下反型层是否存在,MOS管可分为增强型、耗尽型——。功率半导体的核心是PN结,从二极管、三极管到场效应管,都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型,其中绝缘栅型也称MOS管(Metal Oxide Semiconductor)。


NCE80H16WD_NCEP080N10F


NCE3075Q

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。

该三个电容参数具体到管子的本体中,分别代表什么?是如何形成的?。MOS管规格书中有三个寄生电容参数,分别是:输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。

原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。


NCE80H16WD_NCEP080N10F


NCE01P30D

。MOS管寄生电容结构如下,其中,多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。

NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。

一方面是结构上小功率MOSFET三个电极在一个平面上,沟道不能做得很短,沟道电阻大。另一方面是导电沟道是由外表感应电荷构成的,沟道电流是外表电流,要加大电流容量,就要加大芯片面积,这样的结构要做到很大的电流可能性也很小。图中MOSFET的结构是不合适运用在大功率的场所,缘由是两个方面的。

NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。

NCE80H16WD_NCEP080N10F


MOS管在保护板中的作用是:1、检测过充电,2、检测过放电,3、检测充电时过电电流,4、检测放电时过电电流,5、检测短路时过电电流。

NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。


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