STM32F410RBI3

STM32F410RBI3独石电容器 

(多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可*和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q 值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路

6、纸质电容器 STM32F410RBI3

一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为 0.008～0.012mm 的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量一般在低频电路内，通常不能在高于 3～4MHz 的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路

STM32F410RBI3基于ARM? Cortex?-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator?，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

STM32F410RBI3由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

它属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

STM32F410RBI3带DSP和FPU，具有128 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。

此MCU具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。

如有需要，欢迎联系，电话：0755-82524647，手机/微信：13049865222，QQ：1711624997。

STM32F410RBI3参数

料号 STM32F410RBI3

特性 支持BAM的STM32动态效率MCU，带DSP和FPU的高性能ARM Cortex-M4 MCU，具有128 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器

状态 Active

封装 UFBGA 64 5x5x0.6 P 0.5 mm

内核 Arm Cortex-M4

操作频率(MHz) 100

程序存储器大小 (kB) 128

双组闪存 false

数据RAM大小(kB) 32

计时器(16-bit) 4

计时器 (32-bit) 1

其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick

12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1

通道数量 16

D/A转换器 1

输入/输出端数量 50

显示控制器 -

CAN接口数量 -

I2C接口数量 3

SPI接口数量 3

I2S接口数量 3

USART接口数量 3

UART接口数量 -

存储器扩展接口 -

USB类型 -

加密技术 -

TRNG -

电源电压 (V) min 1.7

电源电压(V) max 3.6

静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 2.6

工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 89

工作温度(°C) min -40

工作温度 (°C) max 125

作为ST代理分销商，深圳西昂特科技备有STM32F410RBI3现货并提供样品零售。公司承诺所有产品均为原装，图片批次仅为参考，新批次随时更新，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员，我们将为你详细解答。如需技术支持，请向西昂特科技技术部寻求选型支持。

深圳西昂特科技除了以上STM32F410RBI3以外，还提供多种规格多种品牌的32.768KHZ，16MHZ，20MHZ，24MHZ，30 MHz等频率晶体及有源或温补晶振，时钟芯片，陀螺仪传感器，滤波器，双工器，连接器等。如有需要，欢迎垂询。

STM32L412TBY6

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STM32L431CCU6

STM32L431CCY6

STM32L431KBU6

STM32L431KCU6

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STM32L431RBT6

STM32L431RBY3

STM32L431RCI6

STM32L431RCT6

STM32L431RCY6

STM32L431VCI7

STM32L431VCT6

STM32L431VCT7

STM32L432KBU6

STM32L432KCU6

STM32L433CBT6

STM32L433CBT7

STM32L433CBU7

STM32L433CBY7

STM32L433CCT3

STM32L433CCT6

STM32L433CCU3

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