IRFP4368PBF
日期:2021-12-25摘要:IRFP4368PBF INFINEON/IR 21+ 原装正品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET? | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 75 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A(Tc) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.85 毫欧 @ 195A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 570 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 19230 pF @ 50 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 520W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247AC | |
封装/外壳 | TO-247-3 | |
基本产品编号 | IRFP4368 |
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环境与出口分类
属性 | 描述 |
---|---|
RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) |
REACH 状态 | 非 REACH 产品 |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |