意法半导体：STY145N65M5

类别 Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single

系列 MDmesh? V

包装 Tube

零件状态 Active

FET 类型 N-Channel

技术 MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss） 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 138A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 414nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 18500pF @ 100V

Vgs（最大值） ±25V

功率耗散（最大值） 625W (Tc)

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 15 mOhm @ 69A, 10V

工作温度 150°C (TJ)

安装类型 Through Hole

供应商器件封装 MAX247?

封装/外壳 TO-247-3

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