意法半导体:STY145N65M5
日期:2022-1-13类别 Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 MDmesh? V
包装 Tube
零件状态 Active
FET 类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 138A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 414nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 18500pF @ 100V
Vgs(最大值) ±25V
功率耗散(最大值) 625W (Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 15 mOhm @ 69A, 10V
工作温度 150°C (TJ)
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 MAX247?
封装/外壳 TO-247-3
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