英飞凌模块

英飞凌IGBT命名规则

-Simens／EUPECIGBT命名系统：

Simens／EUPECIGBT各型号中所指电流都是在Tc＝80℃时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25℃的标称，敬请广大用户注意！

BSM100GB120DN2K

BSM---带反并联续流二极管（F.W.D）的IGBT模块

BYM---二极管模块

100---Tc＝80℃时的额定电流

GA------单元模块

GB-------两单元模块（半桥模块）

GD----六单元模块

GT---三单元模块

GP--七单元模块（功率集成模块）

GAL-------斩波模块（斩波二极管靠近集电极）

GAR-------斩波模块（斩波二极管靠近发射极）

120----额定电压x10

DL------低饱和压降

DN2----高频型

DLC----带（EmCon）二极管的低饱和压降

BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入 EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产人功率或高压IGBT模块，即EUPEC IHM＆IHV 系列IGBT模块有其自身的命名系统，EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按 EUPEC IGBT命名系统来命名.

二 Simens／EUPEC SCR 命名系统：

T930N18TMC

T--晶闸管

D--二极管

930---平均电流

0---标准陶瓷圆盘封装

1--大功率圆盘

4--厚19mm

6--厚35mm

7--厚08mm

8--厚14mm

9--厚26mm

3--光触发型

N--相控器件

F--居中门极型快速晶闸管

S--门极分布式快速晶闸管二极管

18--耐压x100

B---引线型

C----焊针型

E--平板式

T--圆盘式

M--关断时间（A、B、C、D等表示关断时间）

C----关断电压斜率（B、C、F等）

TT430N 22KOF

TT--双晶闸管结构

DD--双二极管结构

TD/DT---一个二极管＆一个晶闸管

430---平均电流

N--相控器件

F--居中门极型快速晶闸管

S---阴极交错式快速晶闸管

22---耐压x100

K---模块

O---关断时间

F----断电压斜率

FF400R12KE3

FZ---单元模块

FF--两单元模块（半桥模块）

FP--七单元模块（功率集成模块）

FD/DF---斩波模块

F4---四单元模块

FS--六单元模块

DD---二极管模块

400--Tc＝80℃时的额定电流

R-----逆导型

S---快速二极管

12--额定电压x100

KF----高频型（主要在大模块上使用）

KL--------低饱和压降（主要在大模块上使用）

KS-------短拖尾高频型

KE-------低饱和压降

KT--------低饱和压降高频型