IRF540NSTRLPBF
日期：2022-4-7摘要：IRF540NSTRLPBF
产品属性
| 类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | |
| 制造商 | Infineon Technologies | |
| 系列 | HEXFET? | |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带 | |
| 零件状态 | 在售 | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 44 毫欧 @ 16A，10V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 71 nC @ 10 V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1960 pF @ 25 V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 130W（Tc） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK | |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | |
| 基本产品编号 | IRF540 |