全新原装现货 VISHAY/威世 SIR422DP-T1-GE3 N沟道场效应管MOS SIR422
日期:2022-5-7摘要:型号:SIR422DP-T1-GE3
企业:深圳市宗天技术开发有限公司 联系人:曹小姐 微信:19166207802 手机:19166207802 QQ:444961496
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1785pF @ 20V
功率 - 最大值:34.7W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SO-8
供应商器件封装:PowerPAK? SO-8