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全新原装现货 VISHAY/威世 SIR422DP-T1-GE3 N沟道场效应管MOS SIR422

日期:2022-5-7类别:会员资讯 阅读:490 (来源:互联网)
公司:
深圳市宗天技术开发有限公司
联系人:
曹小姐
手机:
19166207802
电话:
0755-88601327
传真:
--
QQ:
444961496 2824256784
地址:
深圳市福田区福田区深南中路3007号国际科技大厦2502
摘要:型号:SIR422DP-T1-GE3 企业:深圳市宗天技术开发有限公司 联系人:曹小姐 微信:19166207802 手机:19166207802 QQ:444961496

SIR422DP-T1-GE3.jpg

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.6 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1785pF @ 20V

功率 - 最大值:34.7W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK? SO-8

供应商器件封装:PowerPAK? SO-8