TAJD687K002RNJ

TAJD687K002RNJ_TAJD687K002RNJ导读

N沟道增强型MOS管的结构在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。

TAJV687K006RNJ

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。

TAJC225M035RNJ

060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

开关只有两种状态通和断，三极管和MOS管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。

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