CSD17556Q5B

制造商: Texas Instruments

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VSON-CLIP-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V

Qg-栅极电荷: 28.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.1 W

通道模式: Enhancement

商标名: NexFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Texas Instruments

配置: Single

下降时间: 12 ns

正向跨导 - 最小值: 197 S

高度: 1 mm

长度: 6 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 26 ns

系列: CSD17556Q5B

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 27 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

宽度: 5 mm

单位重量: 134.700 mg