MOSFET SI2325DS-T1-GE3
日期：2022-6-22摘要：
MOSFET -150V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2325DS-T1-GE3
| 制造商: | Vishay | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | |
| 晶体管极性: | P-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 150 V | |
| Id-连续漏极电流: | 530 mA | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 1.2 Ohms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 4.5 V | |
| Qg-栅极电荷: | 7.7 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| Pd-功率耗散: | 750 mW | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标名: | TrenchFET | |
| 封装: | Reel | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 商标: | Vishay Semiconductors | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 11 ns | |
| 高度: | 1.45 mm | |
| 长度: | 2.9 mm | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 11 ns | |
| 系列: | SI2 | |
| 工厂包装数量: | 3000 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 16 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 7 ns | |
| 宽度: | 1.6 mm | |
| 零件号别名: | SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-GE3 | |
| 单位重量: | 8 mg |