NTMFS5C430NLT1G
日期：2022-7-20摘要：NTMFS5C430NLT1G
NTMFS5C430NLT1G
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | NTMFS5C430NLT1G |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8162107792 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 制造商包装代码 | 488AA |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 67 weeks |
| Date Of Intro | 2016-02-26 |
| 风险等级 | 1.58 |
| Samacsys Description | ON Semiconductor NTMFS5C430NLT1G N-channel MOSFET Transistor, 200 A, 40 V, 5-Pin DFN |
| Samacsys Manufacturer | onsemi |
| 雪崩能效等级（Eas） | 493 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 200 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 200 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0022 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 144 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 110 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 900 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 86 ns |
| 最大开启时间（吨） | 301 ns |