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IPD50P04P4L-11 分立半导体 晶体管 MOSFET In

日期:2022-8-9类别:会员资讯 阅读:108 (来源:互联网)
公司:
深圳市华美欧电子科技有限公司
联系人:
朱小姐#只做原装#
手机:
13728871766
电话:
086-0755-83989608 82792628
传真:
086-0755-82792628
QQ:
379381148
地址:
深圳市福田区中航路都会大厦银都31楼
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:50 A
Rds On-漏源导通电阻:17.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Qg-栅极电荷:45 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:58 W
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标名:OptiMOS
封装:Reel
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
商标:Infineon Technologies
配置:Single
下降时间:39 ns
高度:2.3 mm
长度:6.5 mm
产品类型:MOSFET
上升时间:9 ns
系列:OptiMOS-P2
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
晶体管类型:1 P-Channel
典型关闭延迟时间:46 ns
典型接通延迟时间:12 ns
宽度:6.22 mm
零件号别名:IPD5P4P4L11XT SP000671156 IPD50P04P4L11ATMA1
单位重量:330 mg